上海市某半导体设备电源芯片有厂，晶圆精加工全过程中有含硅、氟的特殊性废气，设计制作治理 投资规模1200吨/日。废气成分表麻烦，含有纳米技术级硅颗料及氢氧化钠，中国传统治理 具体方法不易于未达标。 电镀废水组分及从何而来 核心污染破坏物 ：固体硅（100-500nm孔径）、氟阴离子（200-300mg/L）、异丙醇 特征程序 ：晶圆刻蚀生产废水处理工艺（45%）、CMP化学反应机械制造镜面抛光生产废水处理工艺（40%）、生产设备清洗道路水（15%） 正确处理流程图流程图 自主创新主要包括"有机化学结晶+机械膜破乳"系统自驾路线： 钙盐结晶 ：添加氯化钙删去氟正离子（自动生成CaF2析出） 斜管沉淀池不良反应 ：复合型斜板沉淀池剂确保固体硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm钻孔大小膜挤占微细粒状 反渗透膜法控制系统 ：脱盐率>98%，回报率75% 汽化心得 ：浓水段改变氟化物零减排 决定性使用效果 氟化物酸度：<8mg/L（低过祖国1阶段要求10mg/L） 硅含磷量：<5mg/L 水物资循环率：70%适用待方形冷却塔补湿 危险废物回收利用：挥发沉渣量较过去的鑫霖环保抑制60%